RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
96
Около 52% меньшая задержка
Причины выбрать
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6.8
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.2
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
96
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
6.8
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
4.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
992
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link