RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
46
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.7
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
41
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2847
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link