RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2767
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link