RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
56
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
56
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
2455
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link