RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
87
Около -211% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
13.0
Скорость записи, Гб/сек
870.4
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2586
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link