TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка

Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 19

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

870.4 14.8

Среднее значение в тестах

Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 87

Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

87 26
Скорость чтения, Гб/сек

3,155.6 19.0
Скорость записи, Гб/сек

870.4 14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

417 3559

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

модули RAM

Kingston KF2666C16D4/16G 16GB

Kingston KF2666C16D4/16G 16GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB

Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB

модули RAM