RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
87
Около -142% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.3
Скорость записи, Гб/сек
870.4
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3044
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link