RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
87
Около -200% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
18.2
Скорость записи, Гб/сек
870.4
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3748
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link