RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
70
87
Около -24% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
70
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
870.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
1934
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link