TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

-->

Средняя оценка

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Средняя оценка

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

870.4 13.8

Среднее значение в тестах

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Причины выбрать
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 87

Около -164% меньшая задержка
Выше пропускная способность

25600 5300

Около 4.83 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

87 33
Скорость чтения, Гб/сек

3,155.6 18.5
Скорость записи, Гб/сек

870.4 13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 25600

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

417 3341

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB

Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

модули RAM

Mushkin 996902 2GB

Mushkin 996902 2GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB

Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

V-GEN D4H4GS24A8 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB

модули RAM