RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
87
Около -156% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
870.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2962
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link