RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
87
Около -129% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
870.4
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2283
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link