RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
87
Около -263% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
870.4
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2462
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link