RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
72
87
Около -21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
72
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
870.4
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
1593
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link