RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
87
Около -190% меньшая задержка
Выше пропускная способность
23400
5300
Около 4.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
16.3
Скорость записи, Гб/сек
870.4
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
23400
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
2761
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Catalyst 256NU8 256MB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link