RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
870.4
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
87
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5.3
3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
45
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
5.3
Скорость записи, Гб/сек
870.4
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
1535
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link