RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
53
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
3386
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link