RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
53
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
2931
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link