RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
96
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
47
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
11.5
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2793
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link