RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
96
Около -159% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2875
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link