RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
96
Около -357% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
21
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
20.6
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
20.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
4170
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link