RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против InnoDisk Corporation 16GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
96
Около -153% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.7
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
7.7
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2163
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
InnoDisk Corporation 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link