RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
96
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.6
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
11.2
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2245
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link