RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
96
Около -317% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3004
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link