RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB против Kingston HX316C10F/8 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Средняя оценка
Kingston HX316C10F/8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HX316C10F/8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
27
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
14.7
Скорость записи, Гб/сек
7.7
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1930
2585
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HX316C10F/8 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link