RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2354
2723
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Сравнения RAM
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link