Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

-->

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 44

Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.3 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.3 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 29
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 18.3
Скорость записи, Гб/сек

7.5 15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1853 3555

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston 9905599-026.A00G 8GB

Kingston 9905599-026.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB

Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kllisre 0000 8GB

Kllisre 0000 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB

Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Super Talent F21UB8GS 8GB

Super Talent F21UB8GS 8GB

модули RAM