RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
44
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
2654
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link