RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB против Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
70
Около 37% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
70
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
2519
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link