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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
总分
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
40
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
26
读取速度,GB/s
11.3
18.9
写入速度,GB/s
7.5
14.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1654
3456
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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