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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
94
左右 -141% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
39
读取速度,GB/s
1,882.0
16.1
写入速度,GB/s
1,165.4
11.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
2782
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
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Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
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