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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比较
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
总分
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
47
94
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
1,165.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
94
47
读取速度,GB/s
1,882.0
10.0
写入速度,GB/s
1,165.4
7.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
305
2308
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
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