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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
48
读取速度,GB/s
13.4
11.6
写入速度,GB/s
7.8
8.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2181
2466
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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