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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
49
左右 -96% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
25
读取速度,GB/s
5,135.8
15.9
写入速度,GB/s
2,343.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
3023
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB RAM的比较
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
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