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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
比较
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
总分
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
14.0
15.8
写入速度,GB/s
8.5
12.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
2866
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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