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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.0
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
2,614.5
18.2
写入速度,GB/s
1,145.9
14.0
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3538
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
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