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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
52
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.1
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
22
读取速度,GB/s
2,614.5
17.7
写入速度,GB/s
1,145.9
14.1
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3237
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
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