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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
2,614.5
16.5
写入速度,GB/s
1,145.9
13.1
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
3061
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
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Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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