RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

总分
star star star star star
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 14.9
    测试中的平均数值
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 52
    左右 -49% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 1,145.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 4200
    左右 4.05 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    52 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    2,614.5 left arrow 14.9
  • 写入速度，GB/s
    1,145.9 left arrow 10.1
  • 内存带宽，mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    409 left arrow 2613

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB RAM的比较

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
内存RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
内存RAM
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
内存RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
内存RAM
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
内存RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
内存RAM