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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
66
左右 -128% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
29
读取速度,GB/s
2,775.5
17.3
写入速度,GB/s
1,557.9
14.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3395
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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