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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
66
左右 -128% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
29
读取速度,GB/s
2,775.5
17.4
写入速度,GB/s
1,557.9
14.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3398
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
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