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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
66
左右 -267% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
18
读取速度,GB/s
2,775.5
20.3
写入速度,GB/s
1,557.9
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3431
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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