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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
66
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
24
读取速度,GB/s
2,775.5
15.4
写入速度,GB/s
1,557.9
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2462
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
INTENSO 5641160 8GB
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A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
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