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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Inmos + 256MB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Inmos + 256MB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Inmos + 256MB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
16800
6400
左右 2.63 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Inmos + 256MB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
4,937.3
11.5
写入速度,GB/s
2,061.2
9.1
内存带宽,mbps
6400
16800
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
759
2318
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Inmos + 256MB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
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