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AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
56
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
28
读取速度,GB/s
7.4
15.3
写入速度,GB/s
5.6
11.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2648
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
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Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
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