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AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
AMD R744G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
76
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R744G2606U1S 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
76
读取速度,GB/s
6.3
15.7
写入速度,GB/s
5.2
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
1809
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
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