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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
73
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
31
读取速度,GB/s
6.3
16.2
写入速度,GB/s
5.2
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3215
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
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