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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
6.3
14.9
写入速度,GB/s
5.2
11.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2466
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
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