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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
73
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
31
读取速度,GB/s
6.3
17.5
写入速度,GB/s
5.2
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3861
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
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