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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
52
73
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
52
读取速度,GB/s
6.3
10.5
写入速度,GB/s
5.2
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2236
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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